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  • MCT-PEMI-10.6-2×22-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測(cè)器

    光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測(cè)性能最佳，是一款特別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。這款探測(cè)器被安裝在內(nèi)部含有磁性電路的特殊包裝中。3°楔形硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗戶，可以防止不必要的干擾影響和污染。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：MCT-PEMI-10.6-2×2
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  • MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-16μm 中紅外光浸沒(méi)式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器性能降低。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器

    1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-3TE系列應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器

    2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測(cè)器

    2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM-2TE系列在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大型有源區(qū)域探測(cè)器中效率很高。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。

    更新時(shí)間：2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào)：
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