ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm)
ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量?？商峁z測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào)，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-06

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

訪問(wèn)量：1141

產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類(lèi)

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

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應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm)

ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列用于從直流到25GHz的空間光波形的測(cè)量?？商峁z測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào)，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測(cè)器都由緊湊堅(jiān)實(shí)的過(guò)氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴(kuò)展到紫外光譜范圍高速硅探測(cè)器商業(yè)產(chǎn)品。另一種類(lèi)型的紫外線敏感的InGaAs 探測(cè)器，可用于檢測(cè)從350到1700納米范圍內(nèi)的激光脈沖，因此具有最寬的光譜范圍和超高的響應(yīng)速度。

的阻抗匹配和*的微波技術(shù)，確保測(cè)量的脈沖波形的保真度。用戶可以自由使用50Ω的匹配電阻，進(jìn)行最高響應(yīng)速度的檢測(cè)?；?yàn)楂@得大的信號(hào)響應(yīng)曲線，加入高阻抗負(fù)載。保證了UPD產(chǎn)品為不同的應(yīng)用提供最大的靈活性。結(jié)合BBA系列寬帶高增益放大器，高速光探測(cè)器對(duì)于取代昂貴和繁瑣的雪崩光電二極管是一個(gè)好的選擇。UPD的系列高速光電探測(cè)器是激光和光子學(xué)研究的 ALPHLAS UPD超快光電探測(cè)器 (感光材料 Si, 320-1100nm)

的工具。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)	上升時(shí)間ps	帶寬GHz	光譜范圍nm	光敏面積直徑μm/mm2	暗電流nA	輸出接口	材料
UPD-15-IR2-FC	< 15	>25	800-1700	光纖, 9 µm	0.1	SMA	InGaAs
UPD-30-VSG-P	< 30	>10	320-900	200×200 / 0.04	0.1	SMA	GaAs
UPD-35-IR2-P	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-D	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FR	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FC	< 35	>10	800-1700	光纖, 9 µm	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-P	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-D	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-40-VSI-P	< 40	>8.5	500-1690	200×200 / 0.04	5000	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-P	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-D	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FR	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FC	< 40	>8.5	800-1700	光纖, 9 µm	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-P	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-D	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-50-SP	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-SD	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UP	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UD	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-70-IR2-P	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-D	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FR	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FC	< 70	>5.0	800-1700	光纖, 9 µm	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-P	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-D	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-100-IR1-P	< 100	>3.0	400-2000	80 / 0.005	700	SMA	Ge
UPD-200-SP	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-SD	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UP	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UD	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-300-SP	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-SD	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UP	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UD	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-500-SP	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-SD	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UP	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UD	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-3N-IR2-P	< 150	>0.4	800-2100	300 / 0.07	90	BNC	InGaAs
UPD-5N-IR2-P	< 200	>0.3	800-2600	300 / 0.07	2000	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	5	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P-1TEC	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	0.3	BNC	InGaAs