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半導體連續(xù)激光器
DFB激光器
innolume DFB激光二極管 1120nm 50mW 分布式反饋 (DFB) 和分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源,帶寬低于 5MHz,典型側模抑制比 (SMSR) 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱(QW)或InAs/GaAs量子點(QD)有源區(qū)域和專有芯片設計,覆蓋970-1330nm光譜范圍。
innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1020nm 30mW 分布式反饋 (DFB) 和分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源,帶寬低于 5MHz,典型側模抑制比 (SMSR) 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱(QW)或InAs/GaAs量子點(QD)有源區(qū)域和專有芯片設計,覆蓋970-1330nm光譜
innolume 光纖耦合分布式反饋激光二極管模塊 1020nm 50mW 筱曉(上海)光子技術有限公司是一家被上海市評為高新技術企業(yè)的專業(yè)光學服務公司,業(yè)務涵蓋設備代理以及項目合作研發(fā),建有優(yōu)良的AOL(Advanced Optical Labs)光學實驗室,為國內外客戶提供專業(yè)技術支持服務。
innolume DFB激光二極管(帶集成光隔離器) 1280nm 60mW 分布式反饋 (DFB) 和分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二極管是發(fā)射極窄光譜線的光源,帶寬低于 5MHz,典型側模抑制比 (SMSR) 40dB。Innolume基于GaAs的DFB和DBR激光器利用InGaAs量子阱(QW)或InAs/GaAs量子點(QD)有源區(qū)域和專有芯片設計,覆蓋970-1330nm光譜
1320nm 高溫高功率DFB芯片 250mW 產品總覽 1320nm高溫高功率DFB激光芯片適合在高溫下工作,具有超低的RIN 噪聲和高輸出光功率等優(yōu)點.輸出功率高達250mW.可根據客戶的需求提供波長定制服務