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當前位置：首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器

  • MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器

    2-12μm , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有好性能。切割波長可根據需要進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

    更新時間：2024-12-04
    產品型號：
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  • 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器

    2-12μm MCT 中紅外兩級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩(wěn)定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有好性能。

    更新時間：2024-12-04
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  • 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器

    2-12μm 中紅外MCT三級熱電冷卻紅外光電探測器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復雜的MCT異質結構的三級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時達到好性能。起始波長可根據需要進行優(yōu)化。

    更新時間：2024-12-04
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  • 中紅外非制冷光電探測器

    2.5-6.5μm MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到好性能。

    更新時間：2024-12-04
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  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器

    3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據需求進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態(tài)范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

    更新時間：2024-12-04
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