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產(chǎn)品中心
光電探測器
Si硅光電二極管
product
產(chǎn)品分類1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W) 產(chǎn)品應用 ● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測量系統(tǒng)
硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm,適合于生物醫(yī)學和分析應用。 這種Si APD設(shè)計為雙擴散“穿透式”結(jié)構(gòu),可在400和1000 nm之間提供高響應度,以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見光到近紅外,峰值響應波長905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見光到近紅外,峰值響應波長905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。
硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見光到近紅外,峰值響應波長905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。