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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器Si硅光電探測(cè)器

  • PN#MP-Si-8-TO88mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器

    8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測(cè)器在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm。

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):PN#MP-Si-8-TO8
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  • 16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600

    16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600:器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí),由于象限間輻射通量的變化,引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化,由此可測(cè)出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。 16mm四象限Si光電探測(cè)器/N型硅象限探測(cè)器 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):
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